不同生长模式对AlN薄膜质量的影响 |
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引用本文: | 赵翠俭,孙素静,袁凤坡.不同生长模式对AlN薄膜质量的影响[J].科技通报,2014(7). |
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作者姓名: | 赵翠俭 孙素静 袁凤坡 |
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作者单位: | 石家庄学院物理与电气信息工程学院;石家庄铁道大学信息科学与技术学院;中国电子科技集团公司第十三研究所; |
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摘 要: | 采用传统生长模式和脉冲生长模式开展了蓝宝石衬底上AlN薄膜外延生长研究。通过XRD、透射谱、Raman等分析手段,研究了不同生长模式对AlN薄膜质量的影响,研究发现采用脉冲生长模式的样品与采用传统生长模式的样品相比,晶体质量显著地提高,AlNω(102)的FWHM从2093 arcsec减少到835 arcsec,有效的限制了深能级缺陷。由于采用脉冲生长模式样品中的位错密度较小,所以样品中的残余应力略有提高。研究结果表明脉冲生长模式能有效的提高蓝宝石衬底上AlN晶体质量。
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关 键 词: | AlN 传统模式 脉冲模式 XRD |
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