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| 不同退火条件下Sn掺杂浓度对ZnO薄膜性能影响 | |
| 作者单位： | ;1.商洛学院电子信息与电气工程学院 |
| 摘 要： | 采用溶胶-凝胶法提拉镀膜制备Sn掺杂ZnO薄膜,研究了空气退火、高真空退火(10-2Pa)、低真空退火(1 Pa)和循环退火四种条件下Sn掺杂浓度对SZO薄膜光电性能的影响。结果表明:四种退火条件下不同Sn掺杂浓度时制备的SZO薄膜均为纤锌矿结构且具有C轴择优取向生长特性,当Sn掺杂浓度为5 at.%时SZO薄膜的结晶生长最好。高真空退火条件下Sn掺杂浓度为3 at.%时,电学性能最优,其电阻率可达到5.4×10(-2)Ω·cm。当Sn掺杂浓度小于3 at.%时,薄膜的可见光区平均透过率均大于85%,当掺杂浓度高于3 at.%时,薄膜的透过率随着掺杂浓度的增大而降低。 |
| 关 键 词： | 溶胶-凝胶 Sn掺杂ZnO(SZO)薄膜 掺杂浓度 光电性能 |
Influence of Sn Doping Concentration and Annealing Conditions on Photoelectric Properties of ZnO Thin Films |
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| Keywords: | |