大容量亚阈值域SRAM位单元的设计 |
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引用本文: | 陈仲珊.大容量亚阈值域SRAM位单元的设计[J].考试周刊,2011(91):180-182. |
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作者姓名: | 陈仲珊 |
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作者单位: | 盐城工学院 |
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摘 要: | 本文拟设计一种工作在200mv电源电压下的大容量7T亚阈值域SRAM位单元。双端写入和单端读取保证了不损耗可写性的情况下,SRAM位单元高读取的静态噪声容限(SNM)。结合局部动态阈值MOSFET技术,7 T SRAM容量大、效率稳健,设计不容易受小面积的工艺变化影响。对比6 T和8 T的SRAM位单元,提出位单元有四个方面需要改善:(1)5.13%和7.27%较大的维持容限;(2)80.60%和51.92%较大的维持容限标准差;(3)28.58%和46.28%位单元面积的减少;(4)每根位线上16X和8X的位单元数(200mV)。
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关 键 词: | 亚阈值SRAM 静态噪声容限 大容量 稳定性 |
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