极紫外光刻技术研发取得突破

美国加州大学研究人员近期表示，他们在与西盟公司合作为下一代极紫外光刻（EUVL）开发激光光源的研究中发现，利用二氧化碳激光器系统可以获得极紫外光刻所需的极紫外光。他们相信，这项突破性发现有望帮助半导体工业寻找到在芯片上存储更多信息的方法，从而迅速提高电子设备的性能。