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| 浅谈IGBT的结构设计 | |
| 引用本文： | 范晓波,王峰瀛,耿涛.浅谈IGBT的结构设计[J].中国科技纵横,2011(19):324-324,327. |
| 作者姓名： | 范晓波 王峰瀛 耿涛 |
| 作者单位： | 西安电力电子技术研究所,陕西西安710061 |
| 摘 要： | 绝缘栅双极晶体管（Insulated Gate Bipolar Transistor，IGBT）自发明以来，为了尽快提高性能，实现产业化。科研工作者在IGBT结构上不断改进，以期能进一步减小功耗，改善高温特性，扩展开关安全工作区（SOA），降低制造成本。本文从提高IGBT耐压和通态电流出发，简单介绍一下IGBT的结构设计。 |
| 关 键 词： | IGBT SOA结构设计 元胞结构 |
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