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基于硅转接板工艺的宽带射频芯片三维异构集成
引用本文:王勇,韦炜,杨栋,孙彪,张兴稳,张有明,黄风义.基于硅转接板工艺的宽带射频芯片三维异构集成[J].东南大学学报,2021(1):8-13.
作者姓名:王勇  韦炜  杨栋  孙彪  张兴稳  张有明  黄风义
摘    要:基于硅转接板工艺实现了超宽带混频微系统组件的三维异构集成,该混频组件由混频多功能芯片和倍频多功能芯片级联而成.基于晶圆级金-金键合工艺实现了四层高阻硅基板堆叠封装.每一层均采用硅通孔(TSV)技术,从而实现信号之间的互连.单片集成微波芯片(MMIC)嵌入在硅腔内,硅基滤波器集成在高阻硅衬底上.硅基转接板上的互连线、腔体...

关 键 词:硅基转接板  混频  倍频  多功能芯片
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