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| HfGdO_X栅介质薄膜晶体管的制备及其反相器应用 | |
| 作者单位： | ;1.滁州学院机械与电气工程学院 |
| 摘 要： | 采用无毒、环保的水溶液法,制备HfGdO_X薄膜(HGO)。通过XRD、UV、XPS、C-F和J-V等表征手段探索HGO薄膜最佳掺杂浓度和退火温度。以HGO薄膜为栅介质制备的铟镓锌氧薄膜晶体管(IGZO/HGO TFTs)饱和载流子迁移率(μ_(sat))达16.8 cm2v2v(-1)s(-1)s(-1),开关电流比达1.5×10(-1),开关电流比达1.5×107。基于IGZO/HGO TFTs的电阻负载型反相器电压增益为9。结果表明,水溶液法制备的HGO高K薄膜在高分辨率平板显示器件和超大规模集成逻辑电路中具有潜在的应用前景。 |
| 关 键 词： | HfGdO_X 水溶液法 薄膜晶体管 反相器 |
Fabrication and Inverter Application of HfGdOX Gate Dielectric Thin Film Transistor |
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