|
|||||
|
|
| 表面态对AlGaN/GaN异质结构2DEG影响的模拟分析 | |
| 作者单位： | ;1.中山大学物理科学与工程技术学院;2.光电材料与技术国家重点实验室 |
| 摘 要： | 利用模拟软件研究施主表面态特性与AlGaN/GaN异质结构中二维电子气(2dimensional electron gas,2DEG)形成之间的关系,分析施主表面态电离过程以及表面态能级位置、表面态密度的影响。结果表明:施主表面态为2DEG的电子来源;AlGaN能带分布及2DEG密度随AlGaN厚度、施主表面态能级位置、施主表面态密度的改变而改变。 |
| 关 键 词： | 半导体物理学 施主表面态 AlGaN厚度 表面态电离 模拟 |
Influence of surface state on 2DEG formation at AlGaN/GaN heterostructure |
|
| Abstract: | |
| Keywords: | |