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| 科坛新秀(九) | |
| 摘 要： | 李建明男31岁.1984年毕业于北京师范大学,1987年在北师大低能核物理研究所获硕士学位.现为中国科学院半导体研究所副研究员.主要从事半导体材料和离子注入工艺方面的研究.在硅材料表面改性和缺陷本征吸除两项属前沿性应用研究中取得有重要意义的创造性成果.对用于制造超大规模集成电路的直拉硅材料研究,发现向硅中注入氢形成的缺陷具有很高的热稳定性.据此,研制出了一种直拉硅表面迁移率提高25%的新型硅材料,具有国内外最高的表面霍尔迁移率,达1760cm~2/v·s.这种材料对超大规模集成电路的制作和提高硅集 |
| 关 键 词： | 新秀 本征吸除 直拉硅 非经典光场 硅材料 副研究员 冲洗剂 超大规模集成电路 保留值 汉语语音识别 |
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