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| 新型Ⅱ-Ⅵ族材料的晶体生长与缺陷控制 | |
| 引用本文： | 介万奇.新型Ⅱ-Ⅵ族材料的晶体生长与缺陷控制[J].中国科学基金,2000,14(2):92-96. |
| 作者姓名： | 介万奇 |
| 作者单位： | 西北工业大学凝固技术国家重点实验室,西安,710072 |
| 基金项目： | Ⅱ-Ⅵ族化合物，晶体生长，偏析，晶体缺陷 |
| 摘 要： | 以新型红外探测材料Hg1-xZnxTe、Hg1-xMnxTe及外延衬底材料CdTe及1-xZnxTe为代表分析了Ⅱ-Ⅵ族化合物光电子材料
的应用背景与现状、晶体生长方法，晶体生长过程中的主要理论问题及各种晶体缺陷的形成与控制。围绕Hg1-xZnxTe、Hg1-xMnxTe、CdTe、Cd1-xZnxTe
4种材料，重点分析晶体生长技术，偏析、沉淀相、孪晶及位错等晶体缺陷的形成与控制的研究现状及发展趋势。 |
| 关 键 词： | Ⅱ－Ⅵ族化合物 晶体生长 晶体缺陷 光电子材料 |
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