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| 深亚微米CMOS模拟集成电路设计 | |
| 作者姓名： | 宋邦燮 刘力源 |
| 作者单位： | 加州大学圣地亚哥分校电子和计算机工程系; |
| 摘 要： | 正《深亚微米CMOS模拟集成电路设计》着眼于电路设计,首先介绍双极结型晶体管(BJT)和金属氧化物半导体(MOS)晶体管的抽象模型,然后介绍如何利用晶体管构建更大的系统。主要内容包括:运算放大器、数据转换器、奈奎斯特数据转换器、过采样数据转换器、高精度数据转换器、锁相环、频 |
| 关 键 词： | 模拟集成电路设计 深亚微米 数据转换器 金属氧化物半导体 结型晶体管 运算放大器 抽象模型 锁相环 过采样 奈奎斯特 |
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