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多晶硅隔离的工艺与价值
引用本文:
吴勤绪.多晶硅隔离的工艺与价值[J].平原大学学报,2000,17(4):54-55.
作者姓名:
吴勤绪
作者单位:
新乡市科协青少年科技中心,新乡453003
摘 要:
采用简易多晶硅隔离方法制造制造集成稳压源是一种新的试验,本就试验过程中为选择外延提供多晶核心的氧化膜,单,多晶同时淀积的质量控制等问题作了重点讨论。
关 键 词:
多晶硅隔离工艺
集成稳压源
数字集成电路
多晶核心
氧化膜
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