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| 溴碘化银T-颗粒晶体中的电子和空穴行为研究 | |
| 作者姓名： | 曹立志 庄思永 |
| 作者单位： | 华东理工大学,精细化工研究所,上海,200237 华东理工大学,精细化工研究所,上海,200237 |
| 摘 要： | 利用Wagner极化法研究了掺杂K4[Fe(CN)6]浅电子陷阱掺杂剂的溴碘化银T-颗粒晶体的电子电导率和空穴电导率,并与未掺杂的晶体样品进行对比,分别考察了实验温度、掺杂剂用量、掺杂位置等因素对实验结果的影响.结果表明,随掺杂剂用量的增加,晶体的电子电导率和空穴电导率都相应增加,这说明浅电子陷阱掺杂剂的掺杂有效地抑制了电子和空穴的复合.但其抑制作用却因掺杂位置的不同而不同,当掺杂量一定,掺杂剂掺在碘区附近时,晶体的电子电导率和空穴电导率的变化较明显.随着实验温度的增加,乳剂晶体的电子电导率和空穴电导率都下降. |
| 关 键 词： | T-颗粒晶体 电子电导率 空穴电导率 浅电子陷阱掺杂剂 |
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