| GaAs(001)面复盖单层Si表面原子结构和电子结构 |
| |
| 引用本文： | 孙国耀,刘惠周. GaAs(001)面复盖单层Si表面原子结构和电子结构[J]. 中山大学学报论丛, 1994, 0(4) |
| |
| 作者姓名： | 孙国耀 刘惠周 |
| |
| 作者单位： | 中山大学物理学系 |
| |
| 摘 要： | 本文用参数化紧束缚方法，从总能量最小原理研究了GaAs（001）面复盖单层Si表面的原子结构和电子结构．分别计算了As终止和Ga终止的GaAs（001）－1×1和2×1复盖单层Si薄片模型的总能量．结果表明：Si与As和Ga都能成键，但Si与As成键更强些。Si取代Ga的位置形成2×1结构，或者界面是由Si和As以及Si和Ga形成的赝合金GaxAs1-xSi．理论计算得到最近的实验支持．
|
| 关 键 词： | 参数化紧束缚方法 表面态 能带 |
The Surface Atomic Geometries and Eletronics Structures of GaAs (001) Surface Covered with Silicon |
| |
| Sun Guoyao, Liu Huizhou. The Surface Atomic Geometries and Eletronics Structures of GaAs (001) Surface Covered with Silicon[J]. Studies in Logic, 1994, 0(4) |
| |
| Authors: | Sun Guoyao Liu Huizhou |
| |
| Affiliation: | Department of Physics. Zhongshan University |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | parameterized tight-binding surface state energy band |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ |
