| Sb_2(SSe)_3薄膜的两步法制备及其在太阳电池中的应用 |
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| 引用本文： | 刘志远,薛仕虎,袁敏,王瑞,张磊,吴大军,高小蕊,陶石,房勇,韩志达,钱斌,江学范.Sb_2(SSe)_3薄膜的两步法制备及其在太阳电池中的应用[J].常熟理工学院学报,2019(2). |
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| 作者姓名： | 刘志远 薛仕虎 袁敏 王瑞 张磊 吴大军 高小蕊 陶石 房勇 韩志达 钱斌 江学范 |
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| 作者单位： | 常熟理工学院物理与电子工程学院 |
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| 摘 要： | 本文首先采用磁控溅射工艺在FTO衬底上沉积Sb_2S_3薄膜,然后通过Se化处理工艺制备Sb_2(SSe)_3薄膜.利用X射线衍射、扫描电子显微镜及紫外-可见分光光度计对薄膜的结构及光学性能进行了分析.在此基础上,初步制备了上衬底结构的太阳电池器件并对其性能进行了测试.结果表明,随着Se化温度的提高,所制备的Sb_2(SSe)_3薄膜晶粒逐渐变大,同时光学带隙逐渐降低.这主要是由于在Se化过程中,Se原子替代Sb_2S_3中S原子的位置所造成的.所制备的太阳电池器件开路电压达到了469.3mV,二极管理想因子为2.6,反向饱和电流为3.389×10~(-8)A.
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