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溅射参数对FeSiAl薄膜磁性能的影响
引用本文:张榕.溅射参数对FeSiAl薄膜磁性能的影响[J].上海海事大学学报,2004,25(4):89-92.
作者姓名:张榕
作者单位:上海海事大学,基础教学部,上海,200135
基金项目:上海海事大学青年骨干教师培养计划资助(025063)
摘    要:对在溅射状态下制得的FeSiAl薄膜的结构和磁性能随溅射工艺参数如溅射功率、溅射气压、靶间距等的变化规律进行了讨论与分析。实验结果表明,溅射态下的FeSiAl薄膜具有(220)织构bcc α无序相,其4πMs可以达到9.9×106A/m(9.9kGs)。较高的溅射功率、合适的溅射Ar气压以及靶间距都有利于降低薄膜的矫顽力Hc。

关 键 词:FeSiAl薄膜  直流磁控溅射  溅射功率
文章编号:1672-9498(2004)04-0089-04
修稿时间:2004年6月11日

Effect of sputtering parameters on properties of FeSiAl films
ZHANG Rong.Effect of sputtering parameters on properties of FeSiAl films[J].Journal of Shanghai Maritime University,2004,25(4):89-92.
Authors:ZHANG Rong
Abstract:
Keywords:FeSiAl film  DC magnetron sputtering  sputtering power
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