| 集成门极换向晶闸管(IGCT) |
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| 引用本文： | 赵双元.集成门极换向晶闸管(IGCT)[J].辽宁科技学院学报,2003,5(1):13-15. |
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| 作者姓名： | 赵双元 |
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| 作者单位： | 本溪冶金高等专科学校自动控制系,辽宁,本溪,117022 |
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| 摘 要： | 介绍了一种新型电力半导体器件——集成门极换向晶闸管(IGCT)的特性、工作原理、关键技术，并指出它必将成为大功率应用中的首选电力半导体器件。
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| 关 键 词： | IGCT 集成门极换向晶闸管 门极可关断晶闸管 硬驱动 缓冲层 透明发射极 |
| 文章编号： | 1008-3723(2003)01-0013-03 |
| 修稿时间： | 2002年10月21日 |
Integrated Gate Commutated Thyristor |
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| ZHAO Shuang - yuan.Integrated Gate Commutated Thyristor[J].Journal of Liaoning Institute of Science and Technology,2003,5(1):13-15. |
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| Authors: | ZHAO Shuang - yuan |
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| Abstract: | This paper introduces a new power semiconductor device - integrated gate commutated thyristor (IGCT),along with its characteristics,operation principle and key technology,and points out that IGCT will be the prior option for high power application. |
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| Keywords: | Integrated gate commutated thyristor GTO Hard driving Buffer layer Transparent emitter |
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