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(110)取向镍酸镧导电薄膜的制备及性能研究
引用本文:蔡洪涛,李幸福,张新安,丁玲红,张伟风.(110)取向镍酸镧导电薄膜的制备及性能研究[J].天中学刊,2006,21(2):25-27.
作者姓名:蔡洪涛  李幸福  张新安  丁玲红  张伟风
作者单位:1. 河南大学,河南,开封,475001;华北水利水电学院,河南,郑州,450011
2. 华北水利水电学院,河南,郑州,450011
3. 河南大学,河南,开封,475001
基金项目:河南省高校创新人才培养项目
摘    要:采用化学溶液法在SiO2/Si(100)衬底上制备了LaNiO3导电薄膜,研究不同热解温度、不同薄膜厚度对LNO薄膜结构和导电性的影响,结果发现薄膜均呈现(110)择优取向生长,尤其是650°C退火6层的薄膜(110)相对取向度最大为2.05,750°C退火的薄膜电阻率最小,且电阻率随时间和厚度的增加而变大.

关 键 词:LaNiO3  CSD  (110)取向  电阻率  XRD
文章编号:1006-5261(2006)02-0025-03
收稿时间:2006-03-27
修稿时间:2006年3月27日

Study on Preparation and Property of (110)-Oriented LaNiO3 Conduction Thin Films
CAI Hong-tao,LI Xing-fu,ZHANG Xi-nan,DING Ling-hong,ZHANG Wei-feng.Study on Preparation and Property of (110)-Oriented LaNiO3 Conduction Thin Films[J].Journal of Tianzhong,2006,21(2):25-27.
Authors:CAI Hong-tao  LI Xing-fu  ZHANG Xi-nan  DING Ling-hong  ZHANG Wei-feng
Institution:1 .Henan University, Kaifeng Henan 475001, China; 2.North China Institute of Water Conservancy and Hydroelectric Power, Zhengzhou Henan 450011, China
Abstract:
Keywords:LaNiO3  CSD  (110)-oriented  resistivity  XRD
本文献已被 CNKI 维普 万方数据 等数据库收录!
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