三星发布首款4Gb DDR3高密度内存芯片

近日，三星电子公司表示将利用其50纳米电路技术开发首款4Gb DDR3内存芯片，相比当前市场的DDR3产品，这款芯片将在更低的能耗下提供更高的容量。作为新一代DRAM技术，DDR3相比DDR2拥有诸多优点，尤其是能够以八倍速率传输I／O数据，而能耗却降低了30％。