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| 混合等离子体处理ITO表面对OLED性能的影响 | |
| 摘 要： | 氧化铟锡(Indium Tin Oxide,ITO)具有高透光率、导电性能好等特点,作为阳极材料广泛应用于有机电致发光器件(Organic Electro-luminescent Device,OLED).但是,ITO的表面功函数与器件内的空穴传输层NPB的最高电子占有轨道(highest occupied molecular orbital,HOMO)之间存在较高的势垒,导致器件的驱动电压高、工作效率低、寿命短等问题.科学家经研究后发现ITO经氧等离子体的处理可大大提高空穴的注入和器件的稳定性.实验利用不同功率的混合等离子体对ITO进行不同时间的处理,使得ITO功函数大幅提升,优化了器件的性能.实验发现当使用功率为70 W的混合等离子体处理ITO时间长达15 min时,器件性能最优.相比未用等离子体处理的器件,启动电压低至3 V,最大亮度达到8 676 cd/m2,亮度提高了约1.4倍. |
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