| 二氧化硅薄膜沉积技术的主要化学反应与方法 |
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| 引用本文： | 王长林.二氧化硅薄膜沉积技术的主要化学反应与方法[J].包头职业技术学院学报,2008,9(3). |
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| 作者姓名： | 王长林 |
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| 作者单位： | 包头职业技术学院人文与艺术设计系,内蒙古,包头,014030 |
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| 摘 要： | 对二氧化硅薄膜沉积技术中的主要化学方法、化学气相沉积等进行讨论,综述不同温度条件下各种沉积的方法及其发生的主要化学反应.
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| 关 键 词： | 二氧化硅薄膜沉积 化学气相沉积(CVD) 硅烷 四乙氧基硅(TEOS) |
Main Chemical Reactions and Methods in Silicon Dioxide Film Deposition Technologies |
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| Wang Changlin.Main Chemical Reactions and Methods in Silicon Dioxide Film Deposition Technologies[J].Journal of Baotou Vocational & Technical College,2008,9(3). |
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| Authors: | Wang Changlin |
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| Institution: | Wang Changlin(The Humanities , Artist Design Department,Baotou Vocational & Technical College,Baotou Inner Mongoli,014030) |
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| Abstract: | The main chemical methods and chemical vapor deposition in silicon dioxide film deposition technologies are discussed.Deposition methods in different temperature range are summarized,and the main chemical reactions are introduced. |
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| Keywords: | Silicon Dioxide Film Deposition CVD silicane TEOS |
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