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| 雪崩能量在功率场效应晶体管封装测试中的作用 | |
| 引用本文： | 苏金鑫.雪崩能量在功率场效应晶体管封装测试中的作用[J].华章,2011(25). |
| 作者姓名： | 苏金鑫 |
| 作者单位： | 西安卫光科技有限公司,陕西西安,710000 |
| 摘 要： | 随着大功率场效应晶体管(Power MOSFET)的应用越来越广泛,由于场效应管失效引起的整机失效的比例也在逐渐上升.这这些失效中,很大一部分是由于器件无法承受瞬间高电压脉冲,致使器件管芯烧毁失效.即器件位通过雪崩能量测试或者说器件未通过合适的雪崩能量测试.本文就雪崩击穿的机理、雪崩能量测试的原理、雪崩失效的分析进行一些探讨,从而给出减小雪崩失效的方法. |
| 关 键 词： | 雪崩击穿 雪崩能量 雪崩电流 EAS 器件 |
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