Cux(SiO2)1-x巨霍耳效应研究 |
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引用本文: | 邬祥忠,李振声.Cux(SiO2)1-x巨霍耳效应研究[J].河北工业大学成人教育学院学报,2000,15(4):1-2,5. |
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作者姓名: | 邬祥忠 李振声 |
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作者单位: | 天津理工学院!天津300191 |
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摘 要: | 本文研究了体积比为0.45≤x≤0.8的Cux(SiO2)1-x样品的霍耳系数与成份的关系,随着金属体积比的降低,霍耳系数R迅速增加,并在x=0.51时达到最大,其值为x=0.8的样品霍耳系数的700倍,远超过经典渗流理论计算数值。本研究表明,这种非磁性金属系统中的巨霍耳效应(GHE)是由界观尺度的量子干涉效应引起的。
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关 键 词: | 氧化硅 铜 磁性金属 巨霍耳效应 晶粒 渗流理论 |
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