| 锗-雪崩光电二极管对快速光脉冲响应时间的测量 |
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| 引用本文： | 周炎辉,王宇青.锗-雪崩光电二极管对快速光脉冲响应时间的测量[J].实验室研究与探索,2005,24(5):20-22,89. |
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| 作者姓名： | 周炎辉 王宇青 |
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| 作者单位： | 上海交通大学,物理系,上海,200240 |
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| 摘 要： | 基于P^*n平面结构Ge-APD的工作原理，介绍了采用Ge-APD作为光电转换器件，并配以微带电路和取样技术来测量Ge-APD对快速光脉冲响应时间的方法。
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| 关 键 词： | 锗-雪崩光电二极管 微带电路 取样 响应时间 |
| 文章编号： | 1006-7167(2005)05-0020-04 |
Measurement of Ge-APD Quick Optical Pulse Response Time |
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| ZHOU Yan-Hui,WANG Yu-qing.Measurement of Ge-APD Quick Optical Pulse Response Time[J].Laboratory Research and Exploration,2005,24(5):20-22,89. |
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| Authors: | ZHOU Yan-Hui WANG Yu-qing |
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| Abstract: | The operational principle of Ge-APD was introduced. The measurement of Ge-APD quick optical-electric transducer, micro band circuit and sampling technique were presented. |
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| Keywords: | Ge-APD micro band circuit sample response time |
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