| 快中子辐照直拉硅中V2的退火研究 |
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| 引用本文： | 邓晓冉,杨帅. 快中子辐照直拉硅中V2的退火研究[J]. 天津工程师范学院学报, 2008, 18(3) |
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| 作者姓名： | 邓晓冉 杨帅 |
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| 作者单位： | 1. 天津工程师范学院,数理与信息科学系,天津,300222
2. 天津理工大学,理学院,天津,300191 |
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| 基金项目： | 天津工程师范学院科研发展基金 |
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| 摘 要： | 利用傅立叶红外吸收光谱（FTIR）和正电子湮没技术（PAS）对快中子辐照直拉硅中的双空位（V2）的退火行为进行了研究。实验表明，双空位主要通过捕获VO而消失，因V30与V2有相同的正电子寿命，因此，正电子湮没谱中V2成分比IR吸收谱中V2的消除温度提高大约100℃。
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| 关 键 词： | 快中子辐照 辐照缺陷 双空位 傅立叶红外吸收光谱（FTIR） 正电子湮没技术（PAS） |
Investigation of the V2 defect in fast neutron irradiated Czochralski silicon |
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| DENG Xiao-ran,YANG Shuai. Investigation of the V2 defect in fast neutron irradiated Czochralski silicon[J]. JournalofTianjinUniversityofTechnologyandEducation, 2008, 18(3) |
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| Authors: | DENG Xiao-ran YANG Shuai |
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