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高压下硫化钙的电子结构与光学性质
引用本文:张淑华,柳福提,程晓洪.高压下硫化钙的电子结构与光学性质[J].宜宾学院学报,2012,12(12).
作者姓名:张淑华  柳福提  程晓洪
作者单位:1. 宜宾学院实验与教学资源管理中心,四川宜宾,644007
2. 宜宾学院物理与电子工程学院,四川宜宾644007;宜宾学院计算物理四川省高校重点实验室,四川宜宾644007
3. 宜宾学院物理与电子工程学院,四川宜宾,644007
摘    要:根据密度泛函理论,采用平面波赝势和广义梯度方法,对硫化钙晶体在0~ 200GPa压强范围内的电子结构与光学性质进行了第一性原理计算.得到零温零压下的原胞晶格常数a=4.029A,带隙为2.390eV;随着压强的增加,能带展宽、带隙逐渐减小到零,吸收光谱与反射光谱的峰值向高能量方向移动,即出现蓝移现象;150GPa为硫化钙晶体从半导体变为导体的临界压强.

关 键 词:密度泛函理论  电子结构  光学性质  硫化钙

The Electronic Structure and Optical Properties of CaS under High Pressure
Authors:ZHANG Shu-hua  LIU Fu-ti  CHENG Xiao-hong
Abstract:
Keywords:
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