| 钴硅化物的X光研究 |
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| 引用本文： | 黄晖,张世表.钴硅化物的X光研究[J].蒙自师范高等专科学校学报,1990(4). |
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| 作者姓名： | 黄晖 张世表 |
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| 作者单位： | 蒙自师专物理系
(黄晖)，南开大学物理系(张世表) |
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| 摘 要： | 本文采用READx光相机照像的方法,对部分不同退火温度和退火时间的Co/si系薄膜样品进行了x射线衍射分析,对目前尚有争议的一些问题给出了部分实验结果和结论。并对Co/si薄膜反应中出现的织构情况,我们通过对READx光相机加入新的照像方法,方便地定出了一些钴硅化物织构情况。
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| 关 键 词： | 钴硅化物 x-ray衍射 |
ANALYSIS ON COBALT SILICON THIN FILM INTERACTION BY X RAY DIFFRACTION |
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| Huang Hui.ANALYSIS ON COBALT SILICON THIN FILM INTERACTION BY X RAY DIFFRACTION[J].Journal of Mengzi Teachers' College,1990(4). |
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| Authors: | Huang Hui |
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| Abstract: | Some experimental data and conclusions on cobalt-silicon thin film interaction at different tempertures were given.A new experimental way-Rotating X-Ray READ Camera-was put forward and it made easy to get some information about cobalt silide' s epitaxy. |
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| Keywords: | Cobalt-silicon thin film interaction x-Ray diffrac-tion |
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