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| 关于降低功率晶体管正向压降V_F和提高芯片粘附强度的研究 | |
| 引用本文： | 董秋杰,顾志刚.关于降低功率晶体管正向压降V_F和提高芯片粘附强度的研究[J].黑龙江科技信息,2008(3):28-28,193. |
| 作者姓名： | 董秋杰 顾志刚 |
| 作者单位： | 哈尔滨晶体管厂,黑龙江,哈尔滨,150018 |
| 摘 要： | 主要阐述了功率晶体管背面多层金属化电极结构，通过降低硅-金属界面态电阻，采用热处理合金手段，进一步降低功率晶体管正向压降VF和热阻Rth，增加芯片粘附强度，提高晶体管的可靠性指标。 |
| 关 键 词： | 功率晶体管 芯片 粘附强度 |
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