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氧化镓肖特基二极管自热效应的仿真研究
引用本文:汪海波,蒋先伟,曹孙根,汪承龙,张泽宇.氧化镓肖特基二极管自热效应的仿真研究[J].合肥师范学院学报,2022(6):1-7.
作者姓名:汪海波  蒋先伟  曹孙根  汪承龙  张泽宇
作者单位:1. 合肥师范学院电子信息与电气工程学院;2. 安徽省基于新型半导体材料的专用功率器件工程研究中心
基金项目:安徽省高等学校自然科学研究项目“集成驱动模块的高压超结功率MOSFET研制”(2022A052135);
摘    要:氧化镓材料因具有卓越的特性而逐渐受到人们的关注,由其制备的肖特基二极管具有广阔的应用前景,然而材料本身热导率低,纵向结构器件受自热效应影响较大。通过仿真,对纵向肖特基二极管自热特性的正向、反向和瞬态信号传输的影响进行了研究。结果显示,二极管正向电压超过一定值时,正向电流受自热影响趋向饱和;反向特性在击穿之前没有自热效应;器件N型外延层的结构也会影响温度积累,数据表明当掺杂浓度和厚度超过特定值,自热效应会使I-V曲线恶化;当器件在开关状态工作时,温度积累使得电压较大、持续时间较长的脉冲信号完整性变差。

关 键 词:氧化镓  肖特基二极管  热电子  功函数  自热效应
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