65nm工艺下MOSFET阈值电压提取方法研究

阈值电压Vth决定了反型沟道的建立，也就意味着MOSFET工作的开启。因此，精确地测算出阈值电压Vth是对设备特性描述的关键所在。提取阈值电压的方法很多，本文主要介绍了常数电流法、线性外推法、平方外推法、跨导线性外推法、二阶求导法和分离C-V法六种阈值电压的提取方法的原理并在65nm工艺下进行了仿真验证。本文还分析了阈值电压的温度特性和阈值电压与栅长的关系，并对这六种方法进行了总结，得出线性外推法是最简便且更准确的阈值电压提取方法。