| 化学气相沉积法制备（类）金刚石薄膜专利技术分析 |
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| 引用本文： | 汤庆新.化学气相沉积法制备（类）金刚石薄膜专利技术分析[J].环球赛鸽科技,2015(12). |
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| 作者姓名： | 汤庆新 |
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| 作者单位： | 国家知识产权局专利局专利审查协作江苏中心,江苏苏州,215163 |
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| 摘 要： | 本文主要对化学气相沉积法制备(类)金刚石薄膜专利申请中专利申请的年度变化趋势、专利申请国家/地区布局、制备方法、申请人类型、专利技术改进方向、国内外主要申请人技术演进和发展等方面进行分析。研究表明，日本、美国等在该领域处于绝对领先地位，近年来国内的研究已取得了重大的进展，正在逐渐缩小与国外技术差距，切削加工和耐磨部件等应用领域是申请热点。
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| 关 键 词： | 化学气相沉积 金刚石 类金刚石 热丝CVD 等离子CVD |
Patent Analysis on Diamond or Diamond-like Carbon Film Manufacture Technologies |
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| TANG Qing-xin.Patent Analysis on Diamond or Diamond-like Carbon Film Manufacture Technologies[J].Global Racing Pigeon Science,2015(12). |
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| Authors: | TANG Qing-xin |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | CVD Diamond Diamond-like carbon HFCVD Plasma CVD |
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