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| 联栅晶体管的Hfe—Ic特性分析 | |
| 引用本文： | 郑海东,邹永杭.联栅晶体管的Hfe—Ic特性分析[J].科技通报,1992,8(2):125-125. |
| 作者姓名： | 郑海东 邹永杭 |
| 作者单位： | 浙江大学信电系，浙江大学信电系，中国汽车进出口公司浙江公司 |
| 摘 要： | 联栅晶体管(Gate Associated Transistor)是由日本Hisao,Kondo等人在1979年提出的,它是一种双极型晶体管的改进结构,它有一个特殊的基区,基区一部分做得较深,其杂质浓度较其他部分为高,这个伸出基区部分相当于JFET的栅.在满足沟道夹断早于基区穿通的情况下,栅的存在使得联栅管在承担相同电压时,其基区宽度比BJT小得多.联栅管的出现,解决了高反压与高频之间的矛盾,同时使得在较低的集电区电阻率情况下得到较高的BV_(c()o).但联栅管在结构上也存在两个缺点:其一是器件的面积利用率较低,其二是在大电流情况下电流增益H_(FE)随I_C下降较之没有栅结构的普通BJT来得快,我们认为,这是因为栅墙的存在使 |
| 关 键 词： | 晶体管 联栅晶体管 HFE－Ic特性 |
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