超高亮度发光二极管外延片和芯片产业化

<正>项目概况随着第三代半导体材料氮化镓的突破和超高亮度蓝、绿、红、白光二极管的问世,半导体采用LED作为新光源,同样亮度下,耗电仅为普通白炽灯的1/10,使用寿命10万小时,是白炽灯的30倍。半导体灯替代传统的白炽灯和荧光灯,也是大势所趋。本项目主要解决新型超高亮度AlGaInP四元系外延片产业化中的多量子阱稳定生长及进一步提高发光效率等多项关键技术问题,形成成本控制、成品率控制、技术管理规范、设备维护等规范。着重解决发光二极管产业化的稳定性,重复性以及均匀性等关键问题。