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| 钨掺杂对VO_2(M)纳米杆相转变温度的影响 | |
| 引用本文： | 刘长虹,许海峰,刘勇.钨掺杂对VO_2(M)纳米杆相转变温度的影响[J].赤峰学院学报(自然科学版),2014(12):29-31. |
| 作者姓名： | 刘长虹 许海峰 刘勇 |
| 作者单位： | [1]安徽省产品质量监督检验研究院,安徽合肥230051 [2]安徽大学物理与材料科学学院,安徽合肥230039 |
| 摘 要： | 本文采用水热反应法,制备了高质量的单斜二氧化钒(VO2(M))和钨(W)掺杂的V1-xWxO2纳米杆样品.合成的纳米样品的结构、形貌及相转变分别用X-射线衍射,扫描电子显微镜(SEM)及差分扫描量热(DSC)来表征.DSC测量指出W掺杂为1.5%at.的WxV1-xO2样品的金属-绝缘体转变温度(MIT)为42℃,明显低于未掺杂的VO2(M)纳米杆转变温度(67℃).这个结果可解释为W离子掺杂使得VO2(M)晶格发生膨胀,同时W+6替代V+4使得局域电子态密度增加,从而降低了VO2(M)相的转变温度. |
| 关 键 词： | 二氧化钒 钨掺杂 金属-绝缘体转变 |
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