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| 抛物量子点的非线性光学折射率变化 | |
| 作者姓名： | 段一名 李学超 张粮成 |
| 摘 要： | 详细研究了GaAs/AlGaAs抛物线形量子点(QDs)在电场和磁场作用下的折射率的变化.通过使用密度矩阵理论和迭代的方法,可以得到线性和非线性子带间的折射率变化(RIC)的解析表达式.计算结果表明,入射光强度、QDs的半径、宽度以及施加的电场和磁场对系统的折射率变化有很大影响,进而为研究抛物线形量子点的非线性光学折射... |
| 关 键 词： | 量子点 折射率 密度矩阵理论 入射光强度 非线性光学 |
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