β-FeSi2的结构、光电特性及应用 |
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作者姓名: | 闫万珺 周士芸 桂放 邹世乾 |
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作者单位: | 安顺学院物理系,贵州,安顺,561000 |
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摘 要: | 金属硅化物β—FeSi2是具有直接带隙特性的半导体材料,禁带宽度约0.80~0.89eV,是制作硅基光电子光源及探测器件以及太阳能电池,热电器件等最有发展前景的硅基半导体材料之一。目前,已经用多种方法在硅衬底上进行了薄膜外延生长及器件制作的尝试,并取得了一定的成功。文中就近年来β—FeSi2材料的晶体结构、能带结构、光电特性及其在光电子器件中的应用进行了综述。
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关 键 词: | β-FeSi2 晶体结构 光电特性 光电子器件 |
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