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| 二模磁场中随机晶场作用混合自旋横向Ising模型的临界行为 | |
| 作者姓名： | 丁直 晏世雷 |
| 作者单位： | 苏州大学物理科学与技术学院 |
| 基金项目： | 江苏省高校优势学科建设工程资助项目(YK40000112) |
| 摘 要： | 在有效场理论和切断近似的框架内,研究了二模磁场中随机晶场作用的混合自旋横向Ising模型的临界行为.在T-h相图中,晶场浓度对有序相的影响需要将二模磁场分段考虑;大的晶场和适当的晶场浓度有利于二级重入相变现象;但横场对三临界点的作用值得更多研究.在T-D相图中,负晶场比例较大降低有序相,正晶场比例较大增大有序相;强二模磁场和横场都抑制有序相,但强二模磁场有利于三临界点的出现,而横场抑制三临界点.在T-Ω相图中,晶场和晶场浓度对有序相范围有显著影响. |
| 关 键 词： | 混合自旋横向Ising模型 临界行为 随机晶场 二模磁场 |
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