多晶硅层掺杂浓度对钝化接触效果的影响

隧穿氧化层钝化接触技术中,多晶硅层掺杂浓度对钝化效果有直接影响,本技术利用离子注入实现不同浓度的掺杂,分析了不同掺杂浓度的钝化效果,结果发现在掺杂浓度为6*1015cm~(-3)时,经过950℃退火,可以达到最优的钝化效果,ivoc可以达到715mv。