| 一种射频大功率放大器电源偏置电路设计方法（英文） |
| |
| 引用本文： | 沈 明,耿 波,于沛玲. 一种射频大功率放大器电源偏置电路设计方法（英文）[J]. 中国科学院大学学报, 2006, 23(1): 77-82. DOI: 10.7523/j.issn.2095-6134.2006.1.015 |
| |
| 作者姓名： | 沈 明 耿 波 于沛玲 |
| |
| 作者单位： | 1.中国科学院研究生院 北京 100080; 2. 中国科学院空间科学与应用研究中心 北京 100080 |
| |
| 摘 要： | 设计射频大功率放大器时，为了传输大的电源电流而加宽的λ/4电源偏置微带线往往不能很好的对偏置电路和信号电路进行隔离，从而影响放大器的性能。本文对一种采用加厚微带线设计λ/4电源偏置电路的方法进行了分析，并根据一种卫星数传发射机的功率放大器设计要求，分别采用本文介绍的方法和传统方法设计了两个功率放大器，给出了分析和试验结果，结果表明加厚λ/4偏置微带线可以比传统方法令功率放大器获得更高的性能，具有较大参考意义。
|
| 关 键 词： | 功率放大器 偏置电路 小信号S参数 功率附加效率PAE |
A RF High Power Amplifier Bias circuits Design Technique |
| |
| SHEN Ming,GENG Bo,YU Pei-Ling. A RF High Power Amplifier Bias circuits Design Technique[J]. , 2006, 23(1): 77-82. DOI: 10.7523/j.issn.2095-6134.2006.1.015 |
| |
| Authors: | SHEN Ming GENG Bo YU Pei-Ling |
| |
| Affiliation: | 1. Graduate School of Chinese Academy of sciences, Beijing 100080;2. Center for Space Science and Applied Research, Beijing 100080 ; |
| |
| Abstract: | When conducting design of RF high power amplifier (HPA), the broadened microstrip λ/4 bias line for high DC current decreases the performance of the HPA. In this article, a thickened microstrip line is proposed to design the λ/4 drain bias circuit for HPA and is applied to a power amplifier for a miniaturized satellite transmitter. Measurement results showed that thickened bias line is feasible and useful for increasing HPA’s performance. |
| |
| Keywords: | Power amplifier Bias circuit Small signal S parameter Power added efficiency (PAE) |
|
| 点击此处可从《中国科学院大学学报》浏览原始摘要信息 |
|
点击此处可从《中国科学院大学学报》下载全文 |
