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| Sc掺杂Al_2O_3晶体及外场作用下Al_2O_3晶体的第一性原理计算 | |
| 作者单位： | ;1.成都市职工大学培训中心;2.宜宾学院物理与电子工程学院 |
| 摘 要： | 采用GGA-PW91方法计算了未掺杂时Al_2O_3晶体和不同电场下Al_2O_3晶体的能带结构、态密度,并计算了Sc掺杂Al_2O_3晶体的能带结构和态密度.结果表明:未掺杂时Al_2O_3晶体能隙值为6.639 6 eV;随着Z轴方向的外电场增大,Al_2O_3晶体能隙值逐渐变小;O 2s态和2p态的态密度跨度变大,并向低能带偏移;Al原子的3s、3p态的态密度低能带跨度变大,高能带向费米面偏移;Sc掺杂Al_2O_3晶体后能隙值变小,在高能区产生了新的能带并向费米面偏移. |
| 关 键 词： | 第一性原理 Al2O3 晶体 掺杂 电场 |
First Principles Studies of Sc-doped Al_2O_3 Crystal and Pure Al_2O_3 Crystal Under External Electric Field |
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| Keywords: | |