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| AlInGaN/GaN异质结构材料生长及特性研究 | |
| 引用本文： | 贾德宇.AlInGaN/GaN异质结构材料生长及特性研究[J].河南科技学院学报,2009,37(3):45-47. |
| 作者姓名： | 贾德宇 |
| 作者单位： | 空军第一航空学院航空电子工程系,河南信阳464000 |
| 摘 要： | AlInGaN四元合金具有独立控制禁带宽度和晶格常数的特性，利用这一特性可以实现性能更为出色的异质结构材料．利用MOCVD技术生长获得了AlInGaN／GaN异质结构，通过汞探针C—V测量和Hall效应测量，发现其电学特性明显优于常规AlGaN／GaN异质结构，通过XDR和AFM分析，发现其势垒层结晶质量十分出色，但表面形貌与常规异质结构相比还存在一定差距． |
| 关 键 词： | AlInGaN／GaN 异质结构 材料生长 |
Study on growth and characteristic of alInGaN/GaN heterostructures |
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| Abstract: | |
| Keywords: | AlInGaN/GaN |
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