AlInGaN/GaN异质结构材料生长及特性研究 |
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引用本文: | 贾德宇. AlInGaN/GaN异质结构材料生长及特性研究[J]. 河南科技学院学报, 2009, 37(3): 45-47 |
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作者姓名: | 贾德宇 |
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作者单位: | 空军第一航空学院航空电子工程系,河南信阳464000 |
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摘 要: | AlInGaN四元合金具有独立控制禁带宽度和晶格常数的特性,利用这一特性可以实现性能更为出色的异质结构材料.利用MOCVD技术生长获得了AlInGaN/GaN异质结构,通过汞探针C—V测量和Hall效应测量,发现其电学特性明显优于常规AlGaN/GaN异质结构,通过XDR和AFM分析,发现其势垒层结晶质量十分出色,但表面形貌与常规异质结构相比还存在一定差距.
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关 键 词: | AlInGaN/GaN 异质结构 材料生长 |
Study on growth and characteristic of alInGaN/GaN heterostructures |
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Abstract: | |
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Keywords: | AlInGaN/GaN |
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