MOS-FET共源极放大器频率特性的分析 |
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引用本文: | 朱利娜,付金山,尚游.MOS-FET共源极放大器频率特性的分析[J].平原大学学报,1999(4). |
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作者姓名: | 朱利娜 付金山 尚游 |
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作者单位: | 平原大学!新乡453003(朱利娜),新乡市师范!新乡453000(付金山,尚游) |
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摘 要: | 本文就MOS-FET的高频等效模型对MOS-FET共源极放大器的频率计算特性进行了系统分析,并与双极型晶体管放大器相比较,得出了几点重要结论:MOS管有很高的输入电阻.因此在相同的输人电容影响下,很高的输入电阻将影响其高频响应变差;MOS管用作放大时不能象双极管那样大的电压放大倍数;MOS冒产生的电噪声比双极型管要小,故适应于低噪声放大器的输入极。
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关 键 词: | MOS-FET 特性分析 |
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