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| 集成运算放大器受辐射效应的研究 | |
| 引用本文： | 邹慰亲,陈愿,等.集成运算放大器受辐射效应的研究[J].广东民族学院学报,1996(4):106-109. |
| 作者姓名： | 邹慰亲 陈愿 |
| 作者单位： | [1]广东民族学院电子工程系，广州510633 [2]湖北师范学院物理系，黄石435002 |
| 摘 要： | 研究了集成运算放大器在γ辐射环境下的效应。发现经受一定剂量的γ辐射后，双极型集成运算放大器的Vio、Iio、IB 、IB-等电参数明显增大，放大系数减小，停止辐射并经历一定条件的退火处理。这些电参数可以基本恢复。斩波式自动稳零型CMOS集成运算放大器抗γ辐射能力较强。集成运算放大器受γ辐射效应主要是电离损伤。 |
| 关 键 词： | 集成运算放大器 γ辐射 退火 电离损伤 辐射效应 电参数 放大系数 |
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