| SiOxNy薄膜退火过程中N元素的流失对于Si结晶的影响 |
| |
| 引用本文： | 李浩,杜希文,孙景,李静静.SiOxNy薄膜退火过程中N元素的流失对于Si结晶的影响[J].实验技术与管理,2007,24(10):33-36. |
| |
| 作者姓名： | 李浩 杜希文 孙景 李静静 |
| |
| 作者单位： | 天津大学材料科学与工程学院,天津,300072 |
| |
| 基金项目： | 国家自然科学基金;天津市自然科学基金 |
| |
| 摘 要： | 通过不同的溅射工艺制得了3组SiOxNy薄膜样品,并进行了不同的退火工艺。在退火后的样品分析结果中发现了薄膜中的N流失现象,并且对N流失促进了Si结晶的这种特点进行了分析和讨论,为今后利用N流失现象进行S i纳米量子点的制备提供了实验和理论依据。
|
| 关 键 词： | 氮流失 硅纳米晶 硅氧氮薄膜 退火 |
| 文章编号： | 1002-4956（2007）10-0033-04 |
| 收稿时间： | 2006-12-18 |
| 修稿时间： | 2006年12月18 |
The effect of nitrogen's fugacity on the formation of Si nanocrystals in the SiOxNy films |
| |
| LI Hao,DU Xi-wen,SUN Jing,LI Jing-jing.The effect of nitrogen''''s fugacity on the formation of Si nanocrystals in the SiOxNy films[J].Experimental Technology and Management,2007,24(10):33-36. |
| |
| Authors: | LI Hao DU Xi-wen SUN Jing LI Jing-jing |
| |
| Institution: | School of Materials Science and Engineering, Tianjin University, Tianjin 300072, China |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | |
| 本文献已被 维普 万方数据 等数据库收录！ |
|
