离子入射Au靶材表面过程中电子能损的模拟研究

本文利用了SRIM软件计算了不同能量下的H+、Arq+和Xeq+离子入射Au靶表面过程中的电子能损和穿透深度。通过计算分别给出了这三种离子的电子能损与入射能量和单核子入射能量的关系,同时还发现当离子以相同的单核子能量入射时,原子序数越大的离子穿透深度越大。计算结果将为相关的实验研究提供参考数据。