双线圈磁流变阻尼器有限元结构参数优化

双线圈磁流变阻尼器的结构优化设计是提高双线圈磁流变阻尼器性能的有效方法和核心技术。双线圈相比于单线圈磁流变阻尼器来说,无疑其有效阻尼长度较大,可以提供更大的阻尼力,以适应更多的使用场合。但是在增加线圈数量的同时,阻尼器的体积也随之增大,势必导致装置在使用过程中的空间利用率较小,使之不能充分利用资源。这里采用ANSYS有限元分析的方法对双线圈磁流变阻尼器结构进行优化设计,使其在性能达到要求的同时,结构更加紧凑,体积更小,更能充分的利用能量。