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| 新一代半导体材料新贵GAN | |
| 引用本文： | 冯玉春,施炜.新一代半导体材料新贵GAN[J].深圳特区科技,2005(9):82-86. |
| 作者姓名： | 冯玉春 施炜 |
| 作者单位： | 1. 广东省光电子器件与系统重点实验室 2. 光电子器件与系统教育部重点实验室 |
| 摘 要： | 6aN（氮化镓）时代即将到来 在当今半导体材料与器件的研究与应用中，GaN（氮化镓）系材料日益成为世人瞩目的焦点，并和SiC、ZeSe、ZeO、金刚石等半导体材料并誉为继以Si和GaAs为代表的第一代、第二代半导体材料之后的第三代半导体材料。以GaN为代表的Ⅲ-V族化合物材料为直接跃迁半导体材料， |
| 关 键 词： | 第三代半导体材料 第一代 GAN 化合物材料 GaAs Ⅲ-V族 氮化镓 GaN SiC 金刚石 |
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