半导体纳米薄膜导电特性测试 |
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引用本文: | 熊淑平. 半导体纳米薄膜导电特性测试[J]. 实验室研究与探索, 2014, 0(2): 57-59 |
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作者姓名: | 熊淑平 |
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作者单位: | 黄冈职业技术学院; |
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摘 要: | 通过对某些测试方法的改进,设计了综合测试方案,以达到最终实现对薄膜样品膜面、膜厚两个方向上电导率和Seebeck系数的测试。制备了薄膜样品。应用电子束微影技术,在矽晶片表面制造纳米孔洞阵列结构,以改善半导体介面性质并增进其导电性,研究结果显示,在矽晶片表面建构方型孔洞阵列,且在孔洞够小的情况下,与未建构纳米孔洞而只做退火处理的对照样品相比,有效降低了导体的接触电阻,在金属导体电接触中,拥有更加优良的导电性,即在低温制程的中小孔洞阵列结构能取代退火处理。纳米科技有效增进半导体薄膜接点导电特性。
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关 键 词: | 半导体 纳米 薄膜 导电特性 |
Test of Semiconductor Nano-film Conductive Characteristics |
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