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| C掺杂β-Si3N4的电子结构和光学性质 | |
| 引用本文： | 潘洪哲.C掺杂β-Si3N4的电子结构和光学性质[J].临沂师范学院学报,2008(6):30-33. |
| 作者姓名： | 潘洪哲 |
| 作者单位： | [1]临沂师范学院物理系,山东临沂276005 [2]中国工程物理研究院流体物理研究所冲击波物理与爆轰物理重点实验室,四川绵阳621900 |
| 摘 要： | 运用密度泛函平面波赝势方法（PWP）和广义梯度近似（GGA），对替代式C掺杂β-Si3N4的超晶胞电子结构进行了模拟计算，分析了β-Si3N4：C的电子结构和光学性质．对C掺杂前后电子结构的异同以及价键的一些性质进行了对比分析发现，由于C的掺杂，价带宽度展宽，导带宽度和禁带宽度均变窄；态密度出现了几个新的峰，平均峰值有所减小．通过对比分析光吸收系数发现，相对于β—Si3N4的光吸收系数，β-Si3N4：C的吸收系数有所降低，并且向长波方向移动，100nm处的吸收峰向长波方向移动约11．8nm． |
| 关 键 词： | 平面波赝势方法 密度泛函理论 b相氮化硅 C掺杂 |
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